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uvled（紫外線LED）由一個或多個ingan量子阱夾在較薄的gan三明治結構之間組成，形成的有效區域是包層。 通過將InN-GaN的相對比例更改為ingan量子阱，可以將發射波長從紫光
更改為其他光。algan可以通過更改aln比例來制作uvled和量子阱層的包層，但是這些設備的效率和成熟度很差。 如果活性的量子阱層是GaN，則相反的是InGaN或algan合金，
，則器件發射的光譜范圍為350?370nm。
當LED泵上的藍色ingan一個短的電子脈沖時，會產生紫外線。 含鋁的氮化物，特別是algan和algainn可以制成短波長器件，并獲得串聯波長uvled。 波長高達
247nm的二極管已經商業化，基于氮化鋁且可發出210nm紫外線輻射的LED已成功開發，并且在250?270nm波段的uvled也正在開發中。
III-v族金屬氮化物基半導體非常適合制造紫外線輻射源。 以algainn為例，在室溫下，隨著各組分比例的變化，復合過程中電子和空穴的輻射能量為1.89?6.2eV。 如果LED
的有源層由GaN或algan組成，則其紫外線輻射效率非常低，因為電子和空穴之間的復合是非輻射復合。 如果在此層中摻雜少量金屬In，則有源層的局部能級將發生變化。
這時，電子和空穴將發生輻射復合。 因此，當有源層中摻雜有金屬銦時，在380nm處的輻射效率比未摻雜時高19倍。